提升H7-TOOL自制nRF54L15脱机烧写算法文件速度，1MB程序仅需11秒，并且支持了UICR编程

eric2013

1、前几天完成了nRF54L15的脱机烧录支持，自制了脱机烧录算法文件，且支持了SWD接口保护自动解除，但烧写速度太慢了，毕竟nRF54L15的这个Flash是RRAM，类似RAM的设计，且不需要擦除，应该速度非常快才对。
2、通过这两天的研究，支持了512字节缓存模式，烧写速度非常快，1MB程序仅需11秒。



3、UICR大小是0x1000, 从0x500开始后的空间都是OTP空间，并且UICR默认是带RW1保护，只有 Erase All操作后才可以写入一次， Erase All包含内部Flash，SICR和UICR
4、使用UICR编程，请先添加内部Flash程序，并勾选整片擦除，然后添加UICR程序且不要勾选整片擦除