关于flash区域cache

sanit

V7-049_内部Flash模拟EEPROM.rar     这个例程看着没考虑cache对读写flash的影响，不太严谨。如果不考虑的话，多次读取flash的同一片地址，实际上读取的是cache的内容，并不是真正flash里面的值，如果中途插入擦除函数，一定会造成数据不一致，项目使用上面需要注意这个造成的数据不一致。

解决方案：可以把FLASH区域的cache强制关闭（上电默认是WT模式），或者每次读之前，无效化一下cache

eric2013

我之前也发现这个问题，MDK调试组件和调试器读取Flash，Cache命中的情况下，都是Cache里面的值，

测试发现如果Flash开启了指令Cache，H7-TOOL通过SWD访问常数变量，也会有影响
https://forum.anfulai.cn/forum.p ... 9620&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

所以读取前，加个SCB_CleanInvalidateDCache靠谱

sanit

eric2013 发表于 2024-10-19 09:25
我之前也发现这个问题，MDK调试组件和调试器读取Flash，Cache命中的情况下，都是Cache里面的值，

测试发 ...

实际上就是cache导致的。把flash区域的cache关闭即可。这样不知道会不会读取指速度造成影响

eric2013

sanit 发表于 2024-10-19 22:47
实际上就是cache导致的。把flash区域的cache关闭即可。这样不知道会不会读取指速度造成影响

不要关闭，因为内部的FLASH无延迟满速运行是70MHz左右，远低于CPU主频，需要Cache加速。

如果仅仅是简单的模拟EEPROM，使用SCB_CleanInvalidateDCache方便。