F429 HAL库驱动外置SDRAM，并配置SDRAM可运行代码

loserman

F429驱动外部SDRAM，并配置SDRAM可运行代码，用标准库没问题，切换到HAL，就会进HardFault，有大佬清楚吗？

1、标准库写法：
在system_stm32f4xx.c中的void SystemInit(void)函数中，加入SDRAM驱动，并配置SYSCFG->MEMRMP，交换映射地址，使SDRAM能运行程序，代码截图如下：


然后在分散加载sct文件中，加入以下内容：



2、HAL库代码：
先通过STM32CubeMX生成SDRAM驱动，然后把void MX_SDRAM_Init(void)放在system_stm32f4xx.c中的void SystemInit(void)函数中，类似标准库的写法，截图如下：


然后更改分散加载sct文件，发现只要加入启用RW_RAM1的语句，HAL库的代码就会进入HardFault。

请各位大佬看看咋回事

eric2013

可以使用我这个帖子的玩法，标准库，HAL库都可以。

STM32F429的程序加载到SDRAM的运行方法
https://forum.anfulai.cn/forum.p ... 9299&fromuid=58
(出处: 硬汉嵌入式论坛)

loserman

eric2013 发表于 2023-6-15 18:24
可以使用我这个帖子的玩法，标准库，HAL库都可以。

STM32F429的程序加载到SDRAM的运行方法

谢谢eric答复，我的工程代码需求比较特殊，扩展SDRAM大小32MB，即可用于跑代码，也要用于作为扩展RAM使用。
具体来说，就是我的代码中嵌入了图个支持二次编程的runtime，main运行之后，二次编程的代码会被runtime加载到SDRAM中运行

loserman

问题解决了，方案如下：
1、必须有bootloader，SDRAM放在bootloader中初始化（也是就是FMC初始化）。
2、跳转到APP后，在system_stm32f4xx.c中的void SystemInit(void)函数中进行SYSCFG的配置，使地址交换
注意：在引入bootloader后，参照官方示例代码，在跳转之前会判断栈顶地址，而启用外部SDRAM后，MDK编译自动把__initial_sp栈顶指针放到了外置SDRAM，在bootloader跳转之前需要特殊处理，或者干脆不判断。
如下图，栈顶地址被编译到了0x8000 0000地址去了。


以上欢迎指正。

eric2013

loserman 发表于 2023-6-20 14:39
问题解决了，方案如下：
1、必须有bootloader，SDRAM放在bootloader中初始化（也是就是FMC初始化）。
2 ...

这个栈顶判断一点用没有（应该是很久以前ST的工程引入的），就是个巨坑，论坛已经很多网友在这个地方入坑。

loserman

eric2013 发表于 2023-6-21 08:51
这个栈顶判断一点用没有（应该是很久以前ST的工程引入的），就是个巨坑，论坛已经很多网友在这个地方入坑 ...

那有什么其他方案可以代替的？在跳转之前判断APP是否存在

eric2013

loserman 发表于 2023-6-21 13:39
那有什么其他方案可以代替的？在跳转之前判断APP是否存在

什么都不用加，正确的APP加载姿势是应该对加载的app固件做CRC或者MD5完整性校验。

而不是仅仅判断一个开头就认为APP是否存在就跳转。

loserman

eric2013 发表于 2023-6-22 11:14
什么都不用加，正确的APP加载姿势是应该对加载的app固件做CRC或者MD5完整性校验。

而不是仅仅判断一个 ...

明白了！官方示例中这种简单的判断太鸡肋