STM32内部Flash实现EEPROM功能

ruboss

在需要存储不多的参数的时候，内部flash会很方便。但是，如果没有比较好的方法，会导致对flash的频繁擦写，不利于内部flash的寿命。
出于这种目的，使用一种能够循环存储的方法是很有必要的。
通常我的工程会出现两种参数需要保存，一种是设备参数等这种和应用相关的，另一种是和IAP相关的。
F4及以上MCU的扇区都很大，所以通常一块扇区就可以循环存储很多次数据了，如果把这两种数据分两个扇区则会很浪费。所以我参考堆栈的方式，让比较频繁读写的应用参数正向增长，比较少读写的IAP参数逆向增长，让它们共用一块扇区。
然后，参数是不支持动态调整大小的，一旦参数定下来了，就必须一直按照这种格式来操作。如果要更换参数大小，当前做法是下载器编程的时候选择全片擦除，没有去试直接改。
通过几个读写指针来记录读写的位置，利于提高性能，这在我之前的版本里是没有加入的（每次操作都要全扇区查找，但实际感觉还不算慢）。
工程用的测试板是ST官方的stm32f4-discovery板，使用keil 5.28a下的RTE环境建的工程。
欢迎大家试用，反馈意见

eric2013

感谢楼主分享

byccc

这种方式适合没有什么更新频率的场合，像触摸校准参数，IP地址。

如果是频繁更新的，用铁电比较合适

ruboss

byccc 发表于 2019-11-16 17:45
这种方式适合没有什么更新频率的场合，像触摸校准参数，IP地址。

如果是频繁更新的，用铁电比较合适

内部flash擦除操作是比较耗时的，会给保存时间带来不确定性。但正是因为这种限制（自身特点），加上内部flash操作的便捷性，对于普通参数的保存还是非常友好的。

byccc

这种方式最大的安全隐患就是掉电问题，如果你在擦除或者更新参数时，发生了掉电，就比较悲催。

ruboss

发现程序中有错误，更新一下关键的两个文件