F103芯片FLASH运行一段时间后，出现写不进去的问题

Jie_y2dlA

现象是：在F103芯片的FLASH中存储当天的运行数据，15天一个周期，现在长期测试中，前4天可以正常存储，到第五天出现写不进去的情况，我们在操作FLASH时会解锁然后再上锁，并且会判断并清除错误标志位。
各位有遇到过相似的情况吗，怎么解决的

eric2013

最好别用内部Flash做模拟EEPROM。一般我们的项目都是外置EEPROM

eric2013

最好别用内部Flash做模拟EEPROM。一般我们的项目都是外置EEPROM

Jie_y2dlA

eric2013 发表于 2019-9-18 14:04
最好别用内部Flash做模拟EEPROM。一般我们的项目都是外置EEPROM

是因为FLASH不稳定吗

caicaptain2

这个看你的擦除的频次了，内部flash的寿命只能保证1000次。 存配置参数应该可以，存日志和数据可能有点悬。

Jie_y2dlA

caicaptain2 发表于 2019-9-18 14:14
这个看你的擦除的频次了，内部flash的寿命只能保证1000次。 存配置参数应该可以，存日志和数据可能有点悬。

手册上说可以擦写上万次

ghslfgkkl88

Jie_y2dlA 发表于 2019-9-18 14:24
手册上说可以擦写上万次

我要问如下问题：
1. 你的数据是怎么存储的？是覆盖存储，还是增量存储？就比如说你今天存储一个数据0x01在地址1，下次存储的时候，新数据是覆盖写入到地址1，还是会写入到地址2？
2. 把出问题的芯片用JFLASH全部擦除，然后重新写入程序，前4天的工作是不是依旧是正常的？

Jie_y2dlA

ghslfgkkl88 发表于 2019-9-18 14:35
我要问如下问题：
1. 你的数据是怎么存储的？是覆盖存储，还是增量存储？就比如说你今天存储一个数据0x0 ...

我们是15天一个周期，有15个地址，在第16天时覆盖第一天的数据
全部清除后，可以正常工作，但是长期运行不稳定，不一定是在第4天出问题

caicaptain2

Jie_y2dlA 发表于 2019-9-18 14:24
手册上说可以擦写上万次

我打开文件看了一下，嗯，是1万次寿命。。

ghslfgkkl88

Jie_y2dlA 发表于 2019-9-18 14:46
我们是15天一个周期，有15个地址，在第16天时覆盖第一天的数据
全部清除后，可以正常工作，但是长期运行 ...

大概率是你们程序的问题。你们没写过功能测试代码？写完第一个地址后将时间修改到第二天，这样第二天写数据的条件满足了就可以立即写第二天的数据，就不用真等到第二天了。再接着第三天，第四天……循环测下去，总能发现程序问题。

廷润

写内部flash的速度有点偏慢。在梳理几遍地址、页、区、时间节奏方面吧。
之前参考别人量产的软件，时间节奏控制的非常慢。