STM32官方用FLASH模拟EEPROM问题

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ST官方提供了一个使用内部Flash模拟EEPROM的模块，叫X-CUBE-EEPROM。

请教下使用过该模块的高手，这个模块可以在boot和app同时使用吗，使用场景是app保存参数，boot读取参数。我自己实验的结果是，两者无法互通，boot不能读到正确的参数。

Hzzz

flash不就是存储数据吗。直接hal操作就好了，按照demo解锁 擦 写 读 上锁。不存在APP保存的数据在boot读不到，注意操作步骤及读写地址。

踩姑娘的小蘑菇

这种程序思路就是尽量减少擦除次数，也就是擦一次扇区（一般1k以上）多次写入数据实际数据在flash上

踩姑娘的小蘑菇

这种程序思路就是尽量减少擦除次数，也就是擦一次扇区（一般1k以上）多次写入数据，数据还在flash上
本质还是flash操作，从这块排查，出问题的话可以回读flash研究一下在boot和app存在什么差异

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Hzzz 发表于 2025-1-23 10:21
flash不就是存储数据吗。直接hal操作就好了，按照demo解锁 擦 写 读 上锁。不存在APP保存的数据在boot读不 ...

直接操作flash肯定是没问题，现在问题是老工程用的这个模拟EEPROM，里面有一层虚拟地址的映射，不太清楚其中原理，但boot和app对相同的虚拟地址读，读到的值是不一样的

fyyxxm

有的不适合模拟 比如H750，一页128K.。。。

stephen.shi

有实现源码吗？哪位朋友可以提供个下载链接？谢

Alo9611

竟然没说支持F系列

踩姑娘的小蘑菇

Alo9611 发表于 2025-1-24 16:02
竟然没说支持F系列

F系列支持的，包括easyflash也支持

踩姑娘的小蘑菇

Alo9611 发表于 2025-1-24 16:02
竟然没说支持F系列

F支持x-cube-eeprom，包括easyflash也支持
不过这种组件不支持g0和g4，同一个地址多次写入会报错，官方描述：Programming a previously programmed address with a non-zero data is not allowed. Any
such attempt sets PROGERR flag of the FLASH status register (FLASH_SR)
F系列上多次写入只是结果可能不符合预期，并不会报错

1350280419

踩姑娘的小蘑菇 发表于 2025-1-25 08:37
F支持x-cube-eeprom，包括easyflash也支持
不过这种组件不支持g0和g4，同一个地址多次写入会报错，官方 ...

老哥官方有明确说不支持G0和G4吗，我现在用的就是G473，感觉用着挺正常

darthmike

1350280419 发表于 2025-3-9 00:45
老哥官方有明确说不支持G0和G4吗，我现在用的就是G473，感觉用着挺正常

是因为架构问题，可能驱动没适配。
这里贴G系列Flash的一些特性：
Gx 系列不支持反复写，已经写入 0xFF 后，无法修改成其他值
写入 8 字节对齐
带 ECC 校验，访问 ECC 错误的数据，会产生 NMI 异常。物理层有限制，因此不能完全做到掉电安全。

newton

flash模拟eeprom还是自己写比较好，方便管理和拓展，用索引递增代替擦除原内容