在VS2017+GDB的环境下方便的使用H743的多块SRAM

Is_swl

开发环境：VS2017+GDB
使用cubeMx生成代码，手动修改.ld文件
即可使用__section(".ram1")关键字定义变量到指定SRAM空间

/*
修改链接文件，手动增加三个ram段，方便定义变量到RAM_D1，RAM_D2，RAM_D3中，
例定义变量到RAM_D1中：__section(".ram1") uint8_t temp ;
简要说明：
VMA:虚拟内存地址 LMA:加载内存地址
>RAM_D1 AT> FLASH表示它上面大括号内的内容都放在定义的RAM_D1空间中，四字节对齐，此时RAM_D1为VMA,FLASH为LMA
(NOLOAD)非常重要必须要加上，表示不需要加载LMA到VMA中
若不加(NOLOAD)，则定义变量到RAM_D1的同时也会在FLASH开辟同等大小内存作为LMA,浪费FLASH空间
若不加(NOLOAD)且掉AT> FLASH这一句，生成bin文件时地址是连续的，导致bin文件会很大
注意此时定义在RAM_D1中的变量初值随机，定义变量时的赋初值操作无效，不管赋的初值是否为0
RAM_D2和RAM_D3同理
*/
  .ram1 (NOLOAD):
  {
    . = ALIGN(4);
    _sram1 = .;        /* create a global symbol at ram1 start */
    *(.ram1)           /* .ram1 sections */
    *(.ram1*)          /* .ram1* sections */

    . = ALIGN(4);
    _eram1 = .;        /* define a global symbol at ram1 end */
  } >RAM_D1 AT> FLASH

关于ld链接文件这里面又详细解释https://blog.csdn.net/weixin_39177986/article/details/108455827?utm_term=stm32%20.ld&utm_medium=distribute.pc_aggpage_search_result.none-task-blog-2~all~sobaiduweb~default-9-108455827-null-null&spm=3001.4430

eric2013

谢谢分享。

zhang0352505

用GDB调试方便吗？和其他IDE区别大不大

eric2013

zhang0352505 发表于 2022-5-18 09:00
用GDB调试方便吗？和其他IDE区别大不大

还行，之前开发树莓派，很方便。

Is_swl

zhang0352505 发表于 2022-5-18 09:00
用GDB调试方便吗？和其他IDE区别大不大

我感觉挺方便的，我们公司代码都是用cubeMX+VS2017+GDB的环境，

Is_swl

zhang0352505 发表于 2022-5-18 09:00
用GDB调试方便吗？和其他IDE区别大不大

破解版的MDK和AD这些在公司都不敢用，各种律师函警告

zhang0352505

Is_swl 发表于 2022-5-19 10:17
破解版的MDK和AD这些在公司都不敢用，各种律师函警告

哈哈，STM32不是有免费的IDE吗？
我也想试试VS2017+GDB，但是一直没试成。

Is_swl

zhang0352505 发表于 2022-5-19 13:15
哈哈，STM32不是有免费的IDE吗？
我也想试试VS2017+GDB，但是一直没试成。

我们公司一直用这个，没用过ST出的那个，装VS2017社区版，只装C++相关组件就行，我们用的GDB是V5.4的破解版