stm32f407写flash耗时过长！！

loonger

使用场景是将boot程序从flash启动之后，首先将flash区域的boot程序拷贝只片内SRAM中，然后进行中断向量表偏移操作，使得应用程序与中断向量表全部拷贝至片内SRAM中，解决应用程序擦写片内flash阻塞总线问题（因为boot程序中存在高频中断与FPGA进行在线验证，高频中断的执行周期不得被改变）。但是实测向片内flash写1k字节数据耗时2.5s左右，最终导致app程序升级总耗时过长。请问如何能够提高所有程序运行在SRAM中擦写片内flash的速度。

eric2013

你这个是擦除的多大空间。

loonger

eric2013 发表于 2022-1-19 15:41
你这个是擦除的多大空间。

我擦除了扇区4，大小64kb，擦除耗时500+ms，但是调试监测擦除完扇区之后，写1k数据耗时很长，长达2.5s

eric2013

loonger 发表于 2022-1-20 08:41
我擦除了扇区4，大小64kb，擦除耗时500+ms，但是调试监测擦除完扇区之后，写1k数据耗时很长，长达2.5s

这个编程时间有点太长了。调用的那个函数实现的。