SDRAM自刷新时间计算方法

eric2013

目前公认的标准是SDRAM中电容保存数据的上限是64ms，也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：64ms /行数量。

我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 RefreshCycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。

刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625μs，8192行时就为7.8125μs。

V6开发板使用的型号MT48LC4M32B2TG-7，自刷新规格是4K / 64ms，即4096/64ms。刷新一行需要15.625μs。



下面是F429主频168MHz，SDRAM使用2分频，即84MHz时的刷新计算。

刷新计数 = （SDRAM refresh period / Number of rows）*SDRAM时钟速度 – 20
              = （64ms / 4096）* 84MHz – 20
              =  1312.5 – 20
               =  1292.5 ，取值1293