STM32H7内部Flash的写操作地址必须是32字节对齐，写入的数据量也必须是32字节整数倍

eric2013 · 发表于 2020-2-29 10:47:36

不足32字节整数倍，可以补0也得是32字节整数倍。

且编程的首地址也必须是32字节对齐，即此地址对32求余为0。

QQ截图20200229104721.png

1350280419 · 发表于 2024-12-31 15:02:24

请问老哥，G4的要求在哪个文档能找到

eric2013 · 发表于 2025-1-2 06:17:07

1350280419 发表于 2024-12-31 15:02
请问老哥，G4的要求在哪个文档能找到

在RM参考手册得Flash章节。

南湖湖中一笨鱼 · 发表于 2025-9-28 22:04:11

请教一下H7的内部flash是两个bank，比如我的boot是在0x08000000~0x0801FFFF，然后我的bsp起始地址是0x8020000。
想请教一下，如果我的bsp大于第一个bank的空间，写到第二个bank，比如0x08100000之后，是不是正常也是擦除写入就行，没什么特殊限制是吗？

eric2013 · 发表于 2025-9-29 09:29:20

南湖湖中一笨鱼发表于 2025-9-28 22:04
请教一下H7的内部flash是两个bank，比如我的boot是在0x08000000~0x0801FFFF，然后我的bsp起始地址是0x80200 ...

没问题，跟使用第1个bank一样的。

spi-sd · 发表于 2025-9-29 16:51:58

南湖湖中一笨鱼发表于 2025-9-28 22:04
请教一下H7的内部flash是两个bank，比如我的boot是在0x08000000~0x0801FFFF，然后我的bsp起始地址是0x80200 ...

0x8020000不是保留区域吗？也可以读写数据的？这里有多少空间呢？

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[Flash] STM32H7内部Flash的写操作地址必须是32字节对齐，写入的数据量也必须是32字节整数倍

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