被功率MOS管的工作状态搞晕了。当MOS管做开关管时，它应工作在哪个区？

diiiiiii

课本上的图。





NCE30H12K的datasheet。

现在我使用NCE30H12K，开关电压是3.3V，开关频率1K，最大电流达到20A, Vds为8V，做了几个样机，其中有一个发热巨大,把焊锡都烧化了，是什么原因呢？
按照datasheet，感觉没什么问题啊.

alexyzhov

饱和区，如果在可变电阻区，发热损耗巨大

保夫鲁沙

上驱动电路，看开关波形，示波器测了看看上图。你这个情况肯定开关损耗很大，不过这个不好算，度娘资料能入门。

diiiiiii

alexyzhov 发表于 2018-9-10 19:00
饱和区，如果在可变电阻区，发热损耗巨大

我的MOS管选择有问题么？

shtj114

可变电阻区，饱和区相当于三极管线性区

diiiiiii

shtj114 发表于 2018-9-13 10:30
可变电阻区，饱和区相当于三极管线性区

那我用3.3V驱动电平是没问题·的？

caicaptain2

diiiiiii 发表于 2018-9-13 15:46
那我用3.3V驱动电平是没问题·的？

Mos管最好用5V~15V的电压驱动。而且驱动电压必须强劲，瞬态电流可达1A以上较好。
一般200V耐压的mos，最佳电压是10~15V。耐压60V以下的最佳是5~10V之间。
单片机的IO口，不适合驱动Mos。即使勉强驱动，也只能适用于慢速开关和小电流mos的场合。比如开关频率只有几百赫兹，电流几百毫安的时候。

最后，用Mos的功率电路需要专门的工程师来搞，一般的嵌入式软硬件的工程师是不行的。。。。。。
你仔细看看datasheet的第一页，
General Features ● VDS =30V,ID =120A RDS(ON) <4.5m&#8486; @ VGS=10V  (Typ:3.5m&#8486;)
这个是30V/120A的管子，推荐驱动电压是10V。 而且这种管子的Qg非常的大，驱动电流需求也很大，单片机IO口是绝对不行的。

ykee126

diiiiiii 发表于 2018-9-13 15:46
那我用3.3V驱动电平是没问题·的？

用3.3v驱动是最大的问题，看手册是最大是正负20V，3.3v驱动时mos管没有完全打开，内阻很大，发热就很严重，建议至少要12V的驱动电压。

laxsystem01

如果是功率开关管 要么就饱和开，要么就关， 驱动电压和电流都要够

shtj114

diiiiiii 发表于 2018-9-13 15:46
那我用3.3V驱动电平是没问题·的？

从你给的曲线看没有问题，3.3V可以达到饱和，就是你要注意开通关闭瞬间需要一个大电流；对应你电路工况验证一下即可。

diiiiiii

caicaptain2 发表于 2018-9-13 17:01
Mos管最好用5V~15V的电压驱动。而且驱动电压必须强劲，瞬态电流可达1A以上较好。
一般200V耐压的mos，最 ...

谢谢指导

diiiiiii

shtj114 发表于 2018-9-14 18:36
从你给的曲线看没有问题，3.3V可以达到饱和，就是你要注意开通关闭瞬间需要一个大电流；对应你电路工况验 ...

谢谢指导

diiiiiii

ykee126 发表于 2018-9-14 08:16
用3.3v驱动是最大的问题，看手册是最大是正负20V，3.3v驱动时mos管没有完全打开，内阻很大，发热就很严重 ...

谢谢指导

diiiiiii

laxsystem01 发表于 2018-9-14 14:51
如果是功率开关管 要么就饱和开，要么就关， 驱动电压和电流都要够

谢谢指导

一毛

楼主，解决了记得发帖说明一下啊

diiiiiii

一毛 发表于 2018-9-18 22:25
楼主，解决了记得发帖说明一下啊

这是理论问题啊。看了这么多人的分析，个人认为是应该工作在“可变电阻区和截止区”，两区交替

一毛

g极电压高一点发热会不会好点

liugang1986

先考虑增加驱动电压试试。在3.3V信号和功率MOS栅极之间加个用作电平转换的中间级，用小功率的NMOS或者N沟道三极管+上拉电阻的方式，上拉电阻别取太大，否则给功率MOS栅极电容充电太慢，先试试1k欧左右的阻值，好在你MOS的频率不算太高。电平上拉到你电路里的8V就行。注意下增加电平转换电路后的反相问题，不方便信号取反的话就加上两级电平转换。

yanxi12123

新洁能的mos呀，有需要可以联系我。苏州代理