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[有问必答] nandflash读写问题

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发表于 2017-9-28 15:03:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用例程时,先擦除块0,使用FSMC_NAND_WriteData()函数将数据写入nandflash的0页,再使用FSMC_NAND_WriteSpare()函数将数据写入0页的备用区,发现0页之前写入的数据被破坏了,这是什么原因的?nandflash写操作只能页写吗?不能在页上先写512个字节,再紧接写入数据的吗?还是需要重新擦除后重新写入数据的?
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发表于 2017-9-28 16:05:56 | 显示全部楼层
备份区是做管理用的。ECC,坏块等。

仅操作不同页是否有问题。
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发表于 2018-6-22 14:04:04 | 显示全部楼层
最后问题解决了吗?我也碰到相同的问题了
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发表于 2018-6-22 14:09:55 | 显示全部楼层
燕子 发表于 2018-6-22 14:04
最后问题解决了吗?我也碰到相同的问题了

https://forum.anfulai.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=87118
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