H750-记录一个遇到的离谱现象

lpc980408

产品的主要功能是给电池做充放电测试的，CAN通讯收发数据，充放电控制流程为：定时每50us执行一次采集-读取内部ADC数值-PID计算-更改PWM占空比。使用片内+片外flash的形式，STM32H750VBT6 + 恒烁的片外flash ZB25VQ16C，通过片内的bootloader跳转到片外执行。问题现象是不涉及控制流程的程序修改，比如加个无关的函数，修改后会导致某些设备输出的电流值比修改前上升或者下降几十mA，而有的设备电流输出值没变。大批量生产定标的产品，升级程序之后有的产品精度不准了，再修改程序，不会变化的产品还是不会变化，会变化的产品仍然会现象不同的变化。
也找过芯片代理的技术支持和ST原厂，查出来代码有些不规范的地方，修改完也没解决这个问题。之后再详细写写排查的过程，查了好几个月，实在是没什么思路找问题了。
应用：QSPI的BANK2读写片外flash、ADC1采集4路的电流值、ADC2采集7路的电压值、HRTIM的定时器ABCD各自输出一对PWM、I2C软件读写eeprom、TIM6基本定时器50us定时、CAN1配置为CAN模式通讯、一部分代码拷贝到ITCM里运行。

eric2013

有一个地方可以排查，H750现在都是有2MBN容量的，直接程序全部在内部Flash运行看看。省事些，仅需仅芯片型号选择为H743就可以方便使用2MB容量。

这个仅仅用于排查是不是程序运行外部Flash导致的诡异现象。

ps：实际上这种添加些无关程序就可以会导致诡异现象的情况，说明确实触发了程序的一些异常情况

lpc980408

eric2013 发表于 2026-3-6 00:36
有一个地方可以排查，H750现在都是有2MBN容量的，直接程序全部在内部Flash运行看看。省事些，仅需仅芯片型 ...

好的硬汉哥，我试试。
原先程序在片内时没有这个问题，搬移到片外之后函数执行速度慢了，所以把运行慢的函数搬运到了ITCM里运行，然后发现ADC1和ADC2同时发起转换时，ADC2采集的数跳动度比之前大了两倍（电压采集的平均值跳动从±0.2mV变成±0.5mV），然后在定时中断里将ADC1和ADC2的转换调用分开，ADC2的转换时间结束之后再转换ADC1，这时候看着都正常了。结果程序一改，有些产品的输出电流值就变了。查了一下ADC1采集的基准输入没变，启动PWM之后反馈调节得到的电流值却变了。

gjeoi

是pwm触发adc采集？

lpc980408

gjeoi 发表于 2026-3-6 12:17
是pwm触发adc采集？

不是，是在50us的定时中断里使用HAL_ADC_Start_DMA触发转换

lpc980408

写一下目前排查的进度，把之前的定标版程序和修改后的程序从片外改到片内，定标版的精度依旧都合格，修改后的程序还是不合格的依旧不合格。又取消了把函数搬运到RAM里运行，现象还是一样的。现在在一点一点的把定标版程序改到修改后的程序，看哪里的改动影响最大，或者还是增加一个函数就有变化。还有就是发现使用的HAL库不是最新版，我替换成最新版V1.12.1的再对比一下。

eric2013

lpc980408 发表于 2026-3-11 11:10
写一下目前排查的进度，把之前的定标版程序和修改后的程序从片外改到片内，定标版的精度依旧都合格，修改后 ...

现在最新版1.13.0, 可以试试

ceiven

我说个更奇葩的，批量程序在某单个设备上会随机性HardFault，然后也是在代码中添加无用代码，甚至只是写一行nop都能解决