有什么办法提高QSPI内存映射模式下(spi-flash)的程序的运行速度吗

ch123

H7 QSPI内存映射模式程序的执行速度不如在片内flash上执行的速度快，除了提高时钟频率还有什么办法吗，使用MDMA可以吗

轩乞小儿

我也想问 执行同样的FFT算法，片内至少比片外的快一半，执行的次数多一半

hqgboy

现在几线？8线是不是快一些？

yunqi

轩乞小儿 发表于 2024-12-2 16:56
我也想问 执行同样的FFT算法，片内至少比片外的快一半，执行的次数多一半

由于外部闪存延迟和较长的指令/数据路径
除非增加IO线路。
一旦IO线给足，这方面更多是取决于内部总线宽度和总线时钟。

eric2013

Cache加速开了没

yunqi

eric2013 发表于 2024-12-3 11:02
Cache加速开了没

请教下，手册有提到XIP的芯片支持Catch吗？
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看起来catch大的，分数高

DX3906

H7 XIP 性能影响最大的就是cache了，i-cache d-cache都打开，然后在mpu里配置flash那一段地址为wright back，具体可以看硬汉大佬的v7教程
如果还不够的话，可能得把关键代码加载到ram里运行，这部分涉及到分散加载文件对于stm32来说可能比较麻烦，具体可参考i.mx rt1052的相关工程代码
然后有个东西叫程序的局部性原理可以了解下，针对H7这种带cache的单片机有一定的效果

除了上面的以外，还有一些代码层面的通用优化技巧：
1. 优化等级开到最高
2. 优化循环，比如：

• 多层for循环改成单层while
• 手动展开循环次数少的循环体
• 循环体内有多个if分支的，把最有可能满足的分支或者满足次数最多的那个分支写在最前面
• 把重复的操作或者重复的计算尽量全部移到循环外，比如在循环外把一些重复使用的值提前算出来，而不是每次进循环都重新算一遍
  

3. 优化外设访问逻辑，单片机的外设寄存器访问速度比内核速度慢很多，如果某个时刻多次读写同一个寄存器，那总运行时间肯定会被拖慢，所以如果条件允许，尽量合并寄存器操作，减少重复读写次数，或者用dma

hpdell

DX3906 发表于 2024-12-3 15:18
H7 XIP 性能影响最大的就是cache了，i-cache d-cache都打开，然后在mpu里配置flash那一段地址为wright back ...

貌似 xip 内存映射使用不了 dma 吧 ？

4bit 的 qspi ，估计再怎么优化速度也不会提升太多吧 ？ 毕竟这个玩意 受限的条件太多了

如果使用的是 guix ，那可以吧资源文件以 bin 的形式加载到 外部 sdram 里面运行，速度贼快

至于 emwin, lvgl 就只能 那个啥了 ...

DX3906

hpdell 发表于 2024-12-3 16:24
貌似 xip 内存映射使用不了 dma 吧 ？

4bit 的 qspi ，估计再怎么优化速度也不会提升太多吧 ？ 毕竟这 ...

xip只是flash自己那一段地址用不了，其他地址不影响的
st官方有个文档里有写，在开了cache之后xip代码和内部flash代码的coremark分数相差不多，只是说因为cache容量有限，随着程序规模越来越大，内核需要加载的指令和数据越来越多，xip代码性能会稍微下降些，然后通过优化代码，减少指令和数据的规模和复杂度，综合起来还是比较可观的了
性能优化其实是个综合性的工作，很多环节都能扣一点性能出来，积少成多

DX3906

hpdell 发表于 2024-12-3 16:24
貌似 xip 内存映射使用不了 dma 吧 ？

4bit 的 qspi ，估计再怎么优化速度也不会提升太多吧 ？ 毕竟这 ...

官方文档找到了：在STM32F7x0超值系列和STM32H750超值系列MCU上执行外部存储器代码https://www.st.com/resource/zh/a ... icroelectronics.pdf

hpdell

DX3906 发表于 2024-12-3 18:01
官方文档找到了：在STM32F7x0超值系列和STM32H750超值系列MCU上执行外部存储器代码https://www.st.com/re ...

貌似看 ...\STM32Cube_FW_H7_V1.11.2\Projects\STM32H743I-EVAL\Applications\ExtMem_CodeExecution\ExtMem_Boot\MDK-ARM   这个里面的 qspi 工作在内存映射模式 ，时钟频率工作配置在 100MHz ， 这么牛鼻 ，

eric2013

hpdell 发表于 2024-12-4 08:53
貌似看 ...\STM32Cube_FW_H7_V1.11.2\Projects\STM32H743I-EVAL\Applications\ExtMem_Cod ...

一直都是100M，区别的是内部Flash是64位总线，QSPI只有4位总线

hpdell

eric2013 发表于 2024-12-5 08:39
一直都是100M，区别的是内部Flash是64位总线，QSPI只有4位总线

刚刚重新看了一下，貌似发现他使用的 mt25ql 系列的 qspi 没有使用 ddr 模式，

貌似 mt25ql 系列的 ddr 模式最高是 90MHz