写FLASH失败

wbgbg20002000

求助采用STM32G473CBT6,  写片内FLASH失败，代码如下：
        //.ROM_D0 ：ER_IROM1 0x08000000 0x00020000
         __attribute__((section(".ROM_D0"))) static uint64_t Key_Flash=(uint64_t)(-1);  
    __IO  uint64_t  Key_ID=0x1234567812345678;
    __HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER_DISABLE();   //关闭FLASH预取缓冲区
    if((uint64_t)(-1)==Key_Flash)
    {               
        HAL_FLASH_Unlock();
        __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, (uint32_t)&Key_Flash, Key_ID);
        HAL_FLASH_Lock();
    }

eric2013

代码太少，看不出来有什么问题，另外方式返回值类型是什么，先执行擦除没

wbgbg20002000

eric2013 发表于 2024-8-7 10:35
代码太少，看不出来有什么问题，另外方式返回值类型是什么，先执行擦除没

Key_Flash被初始化为0xFFFFFFFFFFFFFFFF,   是否无需擦除

quanshimutou

手册上说，先清标志位，再解锁。是不是这个原因

wbgbg20002000

quanshimutou 发表于 2024-8-7 14:44
手册上说，先清标志位，再解锁。是不是这个原因

刚测试了，先清标志位，再解锁，也写不进去

CallMeEngineer

其实写flash没有那么复杂，可以照着这颗芯片Reference Manual描述的步骤自己写SFR一步步完成，或者在调用库API的过程中观察flash相关那几个SFR的值，根据状态和错误进行修改与调试。
网上查了这颗芯片，可能需要注意的点有：1）64 bit双字+8-bit ECC写；2）解锁正确才能写；3）BSY不置位才能写。
建议楼主先将目标页擦除一遍再写看看。