移植LevelX出现未擦除反复写是什么原因？

aple0807

执行   
lx_nor_flash_initialize();  
status = lx_nor_flash_open(&nor_flash, "lx nor", _lx_nor_flash_hal_initialize);
成功。

读写扇区时就开始反复往0x0C位置写数据（擦除接口未被调用过），然后失败。

1.     lx_nor_flash_initialize();
   
2.    
   
3.     status = lx_nor_flash_open(&nor_flash, "lx nor", _lx_nor_flash_hal_initialize);
   
4.    
   
5.     do
   
6.     {
   
7.         if(status != LX_SUCCESS)
   
8.         {
   
9.             DBG_PRINT("lx_nor_flash_open error \n");
   
10.             break;
    
11.         }
    
12.         else
    
13.         {
    
14.             DBG_PRINT("lx_nor_flash_open sucess \n");
    
15.         }
    
16.    
    
17.         DBG_PRINT("read sector 0 \n");
    
18.         status = lx_nor_flash_sector_read(&nor_flash, 0, local_buffer);
    
19.         
    
20.         if(status != LX_SUCCESS)
    
21.         {
    
22.             set_u32(local_buffer,1,sizeof(local_buffer)/4);
    
23.             
    
24.             DBG_PRINT("lx_nor_flash_read error \n");
    
25.             
    
26.             DBG_PRINT("write sector 0 \n");
    
27.             status = lx_nor_flash_sector_write(&nor_flash, 0, local_buffer);
    
28.             
    
29.             if(status != LX_SUCCESS)
    
30.             {
    
31.                 DBG_PRINT("lx_nor_flash_write error \n");
    
32.             }
    
33.         }
    
34.         
    
35.         
    
36.     } while(0);

复制代码

输出调试信息

1. LX TEST START
   
2. lx_nor_flash_open sucess
   
3. read sector 0
   
4. lx write : addr = 0x0000000c - amount = 1
   
5. lx error code    1
   
6. lx_nor_flash_read error
   
7. write sector 0
   
8. lx write : addr = 0x0000000c - amount = 1
   
9. lx error code    1
   
10. lx_nor_flash_write error
    
11. LX TEST END

复制代码

eric2013

levelx还没有测试过，后面移植到nand时试试。

李益达

初次调用LevelX需要调用一次ChipErase，进行整片擦除。

云心水影

level对同一位置多次写入数据（由1改写位0），由于每次写入时，计算得到的ECC码并不完全也是由1改写为0，所以这会致使后续读取时ECC出错。大家时如何解决这个问题的

云心水影

level对同一位置多次写入数据（由1改写位0），由于每次写入时，计算得到的ECC码并不完全也是由1改写为0，所以这会致使后续读取时ECC出错。大家时如何解决这个问题的

云心水影

level对同一位置多次写入数据（由1改写位0），由于每次写入时，计算得到的ECC码并不完全也是由1改写为0，所以这会致使后续读取时ECC出错。大家时如何解决这个问题的

云心水影

UINT  _lx_nand_flash_open(LX_NAND_FLASH  *nand_flash, CHAR *name, UINT (*nand_driver_initialize)(LX_NAND_FLASH *))
{
   .........
/* Setup the initial erase count to 1.  */
            page_word_ptr[0] =  (((ULONG) 1) | LX_BLOCK_ERASED);

            /* Write the initial erase count for the block.  */            
            status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);

            /* Check for status after the block erase.  */
            if (status == LX_SUCCESS)
            {

                /* Setup the initial erase count to 1.  */
                page_word_ptr[0] =  ((ULONG) 1);

                /* Write the initial erase count for the block.  */            
                status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);
            }

      ...........
}

云心水影

level 对同一位置多次写入不通的数据,每次写入时，计算的ECC并不能保证每次也是全有1改写为0 ，所以会致使后续读取本页数据时，ECC会出错：
大家移植时是如何解决的？这样多次写入同一位置的代码有多处。
UINT  _lx_nand_flash_open(LX_NAND_FLASH  *nand_flash, CHAR *name, UINT (*nand_driver_initialize)(LX_NAND_FLASH *))
{
  ........
/* Setup the initial erase count to 1.  */
            page_word_ptr[0] =  (((ULONG) 1) | LX_BLOCK_ERASED);

            /* Write the initial erase count for the block.  */            
            status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);

            /* Check for status after the block erase.  */
            if (status == LX_SUCCESS)
            {

                /* Setup the initial erase count to 1.  */
                page_word_ptr[0] =  ((ULONG) 1);

                /* Write the initial erase count for the block.  */            
                status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);
            }

.........
}

云心水影

level

/* Setup the initial erase count to 1.  */
            page_word_ptr[0] =  (((ULONG) 1) | LX_BLOCK_ERASED);
            /* Write the initial erase count for the block.  */            
            status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);
            /* Check for status after the block erase.  */
            if (status == LX_SUCCESS)
            {
                /* Setup the initial erase count to 1.  */
                page_word_ptr[0] =  ((ULONG) 1);
                /* Write the initial erase count for the block.  */            
                status =  _lx_nand_flash_driver_write(nand_flash, block, 0, page_word_ptr, LX_NAND_ERASE_COUNT_WRITE_SIZE);
            }

eric2013

云心水影 发表于 2021-8-5 23:34
level

/* Setup the initial erase count to 1.  */

这个地址，给他们官方提升即可

https://github.com/azure-rtos/levelx

TwoSun

李益达 发表于 2021-2-17 19:27
初次调用LevelX需要调用一次ChipErase，进行整片擦除。

我在STM32上移植了ThreadX、FileX、GUIX、NetX duo，还差USBX和LevelX了

hzd317897509

云心水影 发表于 2021-8-5 23:34
level

/* Setup the initial erase count to 1.  */

levelX 的nand flash那块在开启ecc的时候有bug
不开启的话，nand flash总是会有那么一两个bit有问题
解决方式：
1、自己模仿他写坏块管理，它的第一个页拿来加速映射表读取不要用，自己写映射表管理，基本上他现有的那套方案有ecc的模式下就不可用
2、在git上提bug等官方更新解决